矽 (Si)、鍺 (Ge)、砷化鎵 (GaAs) 或硫化鎘 (CdS)等半導體已成為電氣工程中不可或缺的材料。它們不僅構成了計算機、顯示器和智能手機等電子設備的基礎,而且在產生光方面也變得越來越重要。
基於這些不同材料和困難的製造工藝的半導體材料和電子元件很難分析和表徵。現代熱分析測量技術提供了補救措施,其中包括對以下問題的回答:
- 矽芯片在什麼情況下會破裂?
- 電子元件的導熱係數是多少?
- 熱傳感器在非常高的溫度下表現出什麼行為?
- 粘合劑系統是否足夠硬化?
- 組件的熱路徑是否表示弱點?
半導體元件在應用過程中的熱行為可以通過熱分析測量方法以及工藝步驟的效率(包括層結構和粘附特性)來確定。還可以實現對注入分佈(例如矽中的硼)或潔淨室空氣(例如有機成分)的控制。
無論您的任務是產品開發、質量控制、流程優化還是損壞分析,Linseis 都可以為您提供合適的產品來加強您的調查。熱分析方法有無數應用領域,例如差示掃描量熱法 ( DSC )、熱重法 ( TGA ) 或熱 ( TCA ) 和電輸運 ( HCS ) 測量,使用 LaserFlash ( LFA ) 技術或我們經過驗證的LSR平台。LINSEIS 在產品能力方面處於領先地位。
半導體應用
HCS – 霍爾係數 – 鉍銻
霍爾系統 – 霍爾係數 – 氧化銦錫 (ITO)
HCS——霍爾係數——銻薄膜
LSR – 碲化鉍 – 品質因數 ZT
LSR – 康銅 – 塞貝克係數
LSR – 矽鍺合金 – 塞貝克係數
TFA——熱電薄膜金
TFA——熱電薄膜Bi87Sb13
TFA – 熱電薄膜 PEDOT:PSS
LSR – 銅 – 電導率
LSR – 康銅 – 塞貝克係數
TIM-Tester – Vespel – 熱導率
THB Advance/Basic – 相變材料 – 熱導率