熱電分析 / 霍爾效應 / 賽貝克效應
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熱電材料分析儀器總覽|Seebeck 係數、電阻率、ZT 值、霍爾係數完整量測方案

Linseis 提供完整熱電分析儀器解決方案,可量測材料的 Seebeck 係數、電阻率、導熱率、霍爾係數與 ZT 值,協助您深入了解材料熱電轉換效率與載子傳輸特性。廣泛應用於廢熱回收、能源轉換、半導體研發與薄膜材料研究等領域。


熱電分析儀器系列:

TEG-TESTER 熱電發電模組效率測試儀

• 功能重點:量測熱電模組(TEG)的溫度依存效率與功率表現
• 溫度範圍:RT ~ 300°C / -20 ~ 300°C
• 適用對象:TEG 模組開發與品保驗證


LSR-3 熱電材料電性分析儀

• 功能重點:量測 Seebeck 係數與電導率,適用固體與薄膜樣品
• 溫度範圍:-100 ~ 500°C / RT ~ 800 / 1100 / 1500°C
• 適用對象:熱電材料開發、基本電性分析


LZT-METER 熱電性能綜合分析儀(LFA + LSR)

• 功能重點:整合 Seebeck、電阻率與導熱率,完整量測 ZT 值
• 溫度範圍:-100 ~ 500°C / RT ~ 800 / 1100°C
• 適用對象:進階熱電材料研究、能源材料分析


HCS 1 / 10 / 100 霍爾效應與載子特性分析儀

• 功能重點:量測載子濃度、遷移率、電阻率與霍爾係數
• 溫度範圍:LN2 ~ 800°C / RT ~ 500°C
• 適用對象:半導體特性分析與電性材料鑑定


TFA 薄膜熱電分析儀(ZT on Thin Films)

• 功能重點:奈米至微米等級薄膜 ZT 量測,支援霍爾係數、遷移率與載子濃度(選配)
• 溫度範圍:-170 / RT ~ 280°C
• 適用對象:薄膜熱電材料與導熱結構評估


TF-LFA 薄膜熱擴散率分析儀(Time Domain Thermoreflectance, TDTR)

• 功能重點:量測奈米級薄膜熱擴散率,支援多層結構分析
• 溫度範圍:-100 / RT ~ 500°C
• 適用對象:先進半導體與光電薄膜熱傳分析