L79/HCS系統可用於半導體組件性能表徵，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（最高溫度可達700°C）可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基於測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V 和 I-R 數據圖.
系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示
特點
• 載流子濃度
• 電阻率
• 遷移率
• 電導率
• α (水平電阻值/垂直電阻值)
• 霍爾常數
• 磁致電阻
Standards for Electrical Properties
| STANDARD | TITLE |
|---|---|
| ASTM F76-08 | Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors |
HCS 霍爾效應測量系統系列型號比較表
| 功能/規格項目 | HCS 1 | HCS 10 | HCS 100 |
|---|---|---|---|
| 樣品導電範圍 | 高導電樣品 | 中等導電樣品 | 低導電樣品（高阻樣品） |
| 載子濃度範圍 | ~1018 cm⁻³ | ~1017 cm⁻³ | ~1014 cm⁻³ |
| 遷移率解析度 | 一般解析度 | 中高解析度 | 極高解析度 |
| 可測參數 | 霍爾係數、載子濃度、電阻率、遷移率 | ||
| 磁場控制 | ±0.5 T（手動） | ±1 T（可程式控制） | ±1 T（全自動控制） |
| 溫度範圍（標準） | 室溫（RT） | RT ~ 500°C（可選配） | LN₂ ~ 800°C（液氮冷卻 + 高溫爐） |
| 樣品尺寸支援 | 標準方片、圓片 | 多尺寸模組化樣品架 | 多尺寸 + 薄膜/奈米結構（選配） |
| 應用對象 | 教學用途、基本電性測量 | 研發單位、材料實驗室 | 先進材料分析、半導體與熱電材料精密評估 |
影片:
https://www.youtube.com/watch?v=7A6JLY28m2Q
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